IPD90N03S4L02ATMA1 vs IPD031N06L3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD90N03S4L02ATMA1 tarafından Infineon ve IPD031N06L3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD90N03S4L02ATMA1 IPD031N06L3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS-T2 trench MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 136 W —
RDS(on) Max at VGS=10 V 2.2 mΩ —
RDS(on) Max at VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: typical value at VGS=4.5 V] —
Gate Drive Voltage (VGS) 4.5 V to 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical value] 1.0 V to 2.2 V
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +175°C —
Avalanche Rated 100% Avalanche tested —
Paket PG-TO252-3-11 (DPAK, surface mount) PG-TO252-3 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) 1 (Unlimited)
RoHS Durumu Compliant (Green Package) Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Series OptiMOS-T2 OptiMOS 3
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 400 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 167 W
RDS(on) Max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) — 4.5 V, 10 V
Total Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +175°C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin