IPD90P04P4L04ATMA2 vs IPD50P04P413ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD90P04P4L04ATMA2 tarafından Infineon ve IPD50P04P413ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD90P04P4L04ATMA2 IPD50P04P413ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Part Number IPD90P04P4L04ATMA2 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Family OptiMOS-P2 —
Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -40 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -90 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 125 W —
On-State Resistance Rds(on) typ at Vgs=-10V 4.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C
Paket PG-TO252-3-313 (DPAK) PG-TO252-3-313 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 (2 + Tab) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Polarity / Device Type — P-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS-P2 (Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — -40 V
Continuous Drain Current (TC=25°C, ID) — 50 A
Continuous Drain Current (TC=100°C, ID) — [DATA_NEEDED: ID @ 100°C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed IDM]
Power Dissipation (TC=25°C, Ptot) — 58 W
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-10V — 9.2 mΩ (typ) / 12.6 mΩ (max)
On-State Resistance (RDS(on)) @ VGS=-4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=-4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Maximum Junction Temperature (TJ,max) — 175 °C
Standard Pack Quantity (13" reel) — 2500 pcs

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin