IPG20N04S4L11ATMA1 vs IPG20N04S408ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG20N04S4L11ATMA1 tarafından Infineon ve IPG20N04S408ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPG20N04S4L11ATMA1 - 40V 20A Dual N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon
IPG20N04S4L11ATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPG20N04S4L11ATMA1 | IPG20N04S408ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) | Dual N-Channel |
| FET Feature | Logic Level Gate | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ 25C | 20 A per channel | — |
| R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A | 11.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 41 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP) | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8 dual) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | 1 (260C peak reflow) | MSL1 (260 degC peak reflow) |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | — |
| RoHS Durumu | Compliant (Green Product) | Compliant (Green Product) |
| Technology | OptiMOS-T2 trench | OptiMOS (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, per channel) | — | 20 A at 25 degC case |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 7.6 mOhm |
| Maximum Power Dissipation (P_D) | — | 65 W |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 degC to +175 degC |
| AEC-Q101 Qualified | — | Yes |
| Avalanche Rated | — | 100 percent tested |
| Channel Count | — | 2 (independent) |
| Operating Mode | — | Enhancement mode, Normal Level |