IPG20N06S2L65ATMA1 vs IPG20N10S4L35ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG20N06S2L65ATMA1 tarafından Infineon ve IPG20N10S4L35ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPG20N06S2L65ATMA1 | IPG20N10S4L35ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | Dual N-Channel, Logic Level | 2 N-Channel (Dual) |
| Technology | OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A per channel | — |
| RDS(on) at VGS=10V | 65 mΩ typical | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.5 V (logic level) | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 43 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +175°C | — |
| Paket | PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | MSL1 (260°C peak reflow) | MSL1 (up to 260°C peak reflow) |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | AEC-Q101 |
| RoHS Compliance | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Packaging | Tape & Reel (TMA1 suffix) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPG20N10S4L35ATMA1 |
| FET Feature | — | Logic Level Gate |
| Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at 25°C | — | 20 A |
| R<sub>DS(on)</sub> Max | — | 35 mΩ @ V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=17 A |
| Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | — | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th) value] |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 43 W |
| İşletim Sıcaklığı | — | 175°C max junction |
| Paket / Kas | — | PG-TDSON-8-4 (8-Pin TDSON EP) |
| Series | — | OptiMOS™, Automotive |
| RoHS Durumu | — | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche Tested |