IPG20N06S2L65ATMA1 vs IPG20N10S4L35ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPG20N06S2L65ATMA1 מאת Infineon ו IPG20N10S4L35ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPG20N06S2L65ATMA1 | IPG20N10S4L35ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | Dual N-Channel, Logic Level | 2 N-Channel (Dual) |
| Technology | OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 20 A per channel | — |
| RDS(on) at VGS=10V | 65 mΩ typical | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.5 V (logic level) | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 43 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55°C to +175°C | — |
| מארז | PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | MSL1 (260°C peak reflow) | MSL1 (up to 260°C peak reflow) |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche Tested | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 Qualified | AEC-Q101 |
| RoHS Compliance | RoHS Compliant (Green Product) | — |
| Packaging | Tape & Reel (TMA1 suffix) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IPG20N10S4L35ATMA1 |
| FET Feature | — | Logic Level Gate |
| Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at 25°C | — | 20 A |
| R<sub>DS(on)</sub> Max | — | 35 mΩ @ V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=17 A |
| Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | — | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th) value] |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | — | 43 W |
| טמפרטורת פעולה | — | 175°C max junction |
| מארז / Case | — | PG-TDSON-8-4 (8-Pin TDSON EP) |
| Series | — | OptiMOS™, Automotive |
| סטטוס RoHS | — | Compliant (Green Product) |
| Avalanche Rated | — | 100% Avalanche Tested |