IPG20N10S4L35ATMA1 vs IPG20N04S4L11ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPG20N10S4L35ATMA1 tarafından Infineon ve IPG20N04S4L11ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPG20N10S4L35ATMA1 IPG20N10S4L35ATMA1 - 100V Dual N-Ch MOSFET, 35mΩ | Infineon

IPG20N10S4L35ATMA1 - 100V Dual N-Ch MOSFET, 35mΩ | Infineon

IPG20N10S4L35ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPG20N10S4L35ATMA1 IPG20N04S4L11ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPG20N10S4L35ATMA1 —
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at 25°C 20 A —
R<sub>DS(on)</sub> Max 35 mΩ @ V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=17 A —
Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th) value] —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 43 W —
İşletim Sıcaklığı 175°C max junction —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Paket / Kas PG-TDSON-8-4 (8-Pin TDSON EP) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 Qualified
MSL Seviyesi MSL1 (up to 260°C peak reflow) 1 (260C peak reflow)
Series OptiMOS™, Automotive —
RoHS Durumu Compliant (Green Product) Compliant (Green Product)
Avalanche Rated 100% Avalanche Tested —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) @ 25C — 20 A per channel
R<sub>DS(on)</sub> Max @ VGS=10V, ID=17A — 11.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Maximum Power Dissipation (PD) — 41 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C
Paket — PG-TDSON-8-4 (Super S08 / 8-TDSON EP)
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested
Technology — OptiMOS-T2 trench

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin