IPP200N15N3GXKSA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPP200N15N3GXKSA1 tarafından Infineon ve IPP075N15N3GXKSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPP200N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Drain-Source Voltage (VDS max) 150 V —
Continuous Drain Current (ID max, Tc) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 20 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Total Power Dissipation (Ptot max, Tc=25C) 150 W —
Technology OptiMOS 3 N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
Channel Type N-Channel —
Paket TO-220-3 (PG-TO220-3), through-hole PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C —
Montaj Türü Through Hole Through Hole
RoHS Durumu Compliant —
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi Not Applicable (through-hole) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin