IPP200N15N3GXKSA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPP200N15N3GXKSA1 توسط Infineon و IPP075N15N3GXKSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 - 150V 100A OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon

IPP075N15N3GXKSA1 - 150V 100A OptiMOS 3 Power MOSFET | Infineon

IPP075N15N3GXKSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IPP200N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Drain-Source Voltage (VDS max) 150 V —
Continuous Drain Current (ID max, Tc) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) 20 mOhm at VGS = 10 V —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (Qg typ) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Total Power Dissipation (Ptot max, Tc=25C) 150 W —
Technology OptiMOS 3 N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
Channel Type N-Channel —
بسته‌بندی TO-220-3 (PG-TO220-3), through-hole PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
محدوده دمای اتصال کاری -55 C to +175 C —
نوع نصب Through Hole Through Hole
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
سطح MSL Not Applicable (through-hole) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
محدوده دمای کاری — [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت