IPT015N10NF2SATMA1 vs ISC015N06NM5LF2ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPT015N10NF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISC015N06NM5LF2ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPT015N10NF2SATMA1 ISC015N06NM5LF2ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 315 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 35 A —
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 1.5 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) 3.8 V at 267 µA —
Total Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Total Power Dissipation (Tc) 300 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C —
Paket PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) PG-TDSON-8 FL (5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS trench, N-channel enhancement OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel)
Gate Drive Voltage (typ) 10 V —
Tek Darbe Yıldırım Enerjisi [DATA_NEEDED: EAS value] —
RoHS Durumu Compliant —
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 275 A
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 217 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.55 mΩ
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 1.3 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3 V
Gate-Source Voltage Rating — ±20 V
Reverse Recovery Charge (Qrr) — 1.3 nC
Input Capacitance (Ciss) — 6.9 nF
Output Capacitance (Coss) — 1.3 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 55 pF
Total Gate Charge (Qg) — 90 nC
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C
RoHS — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin