IPT026N10N5ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPT026N10N5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC076N04NDATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPT026N10N5ATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 202 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 27 A | — |
| Maximum RDS(on) at VGS=10V | 2.6 mΩ | — |
| Maximum Power Dissipation (Tc=25°C) | 214 W | — |
| Paket | PG-HSOF-8-1 (TOLL) | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| Configuration | Single with built-in diode | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Number of Terminals | 8 | — |
| Technology | Trench (OptiMOS 5) | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Gate Charge (Qg typ) | [DATA_NEEDED: typical Qg] | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55 C to +175 C |
| Paket / Kas | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |