IQD009N06NM5SCATMA1 vs IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQD009N06NM5SCATMA1 tarafından Infineon ve IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQD009N06NM5SCATMA1 IQD009N06NM5SCATMA1 - 60V 0.9mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQD009N06NM5SCATMA1 - 60V 0.9mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQD009N06NM5SCATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQD009N06NM5SCATMA1 IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 5 60V (IQD009N06NM5) —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 445 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 0.9 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 333 W 150 W
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS abs max, typical +/-20V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Paket PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 mm) PG-TTFN-9-3
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55 degrees C to +175 degrees C
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL classification] —
Tape and Reel Packaging Yes (suffix SCATMA1) —
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
Drain-Source Voltage (Vds) Max — 25 V
Continuous Drain Current (Ta) — 54 A
Continuous Drain Current (Tc) — 422 A
Maximum On-Resistance (Rds(on)) — 0.5 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.7 V
Maximum Junction Temperature — +175 degrees C
Technology — OptiMOS 7 (Trench-Gate)
Qualification — Industrial grade per Infineon datasheet

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin