IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 tarafından Infineon ve IQDH35N03LM5SCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IQDH35N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | — |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | — |
| Paket | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) |
| Pin Sayısı | 9 | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 0.35 mOhm @ VGS=10V |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 278 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 C to +175 C |
| Marking | — | IQDH35N03LM5S |