IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 tarafından Infineon ve IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | Silicon N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | — |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | — |
| Paket | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) |
| Pin Sayısı | 9 | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 54 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 422 A |
| RDS(on) Max | — | 0.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 2 V |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 150 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Series | — | OptiMOS 7 |