IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 מאת Infineon ו IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | Silicon N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | — |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | — |
| מארז | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) |
| מספר פינים | 9 | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 54 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 422 A |
| RDS(on) Max | — | 0.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 2 V |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 150 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Series | — | OptiMOS 7 |