IQDH35N03LM5SCATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQDH35N03LM5SCATMA1 tarafından Infineon ve IAUC60N04S6L030HATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQDH35N03LM5SCATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 66 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 700 A —
On-State Resistance (RDS(on)) max 0.35 mOhm @ VGS=10V —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 278 W —
Paket PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C —
MSL Seviyesi 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Marking IQDH35N03LM5S —
Part Series — OptiMOS 6
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per part number suffix)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin