IQDH88N06LM5CGSCATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQDH88N06LM5CGSCATMA1 tarafından Infineon ve IQDH35N03LM5SCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 - 60V N-Ch MOSFET 0.86mΩ | Infineon

IQDH88N06LM5CGSCATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQDH88N06LM5CGSCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 5 (trench, shielded-gate)
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (Ta=25°C) 42 A —
Devamlı Akım Akışı (TC=25°C) 447 A —
On-Resistance RDS(on) typical @ VGS=10V 0.86 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 3 W —
Güç Tüketimi (TC=25°C) 333 W —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge Qg typical [DATA_NEEDED: Qg typical nC] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +175°C (TJ) -55 C to +175 C
Paket PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6) PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 9 (with exposed pad) —
Cooling Dual-side cooling capable —
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (unlimited)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Polarity N-Channel —
Configuration Single —
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 66 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 700 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 0.35 mOhm @ VGS=10V
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 278 W
Marking — IQDH35N03LM5S

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin