IQE008N03LM5SCATMA1 vs IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE008N03LM5SCATMA1 tarafından Infineon ve IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IQE008N03LM5SCATMA1 | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Technology | Trench MOSFET (N-Channel) | Silicon N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 252 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 0.85 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typical) | — |
| Gate Drive Voltage | 10 V (recommended) | — |
| Paket | PG-WHSON-8 (Source-Down) | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling Architecture | Source-Down, dual-side cooling | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +150 °C | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 54 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 422 A |
| RDS(on) Max | — | 0.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 2 V |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 150 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Series | — | OptiMOS 7 |