IQE008N03LM5SCATMA1 vs IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IQE008N03LM5SCATMA1 توسط Infineon و IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | IQE008N03LM5SCATMA1 | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Technology | Trench MOSFET (N-Channel) | Silicon N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 252 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 0.85 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typical) | — |
| Gate Drive Voltage | 10 V (recommended) | — |
| بسته‌بندی | PG-WHSON-8 (Source-Down) | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling Architecture | Source-Down, dual-side cooling | — |
| محدوده دمای کاری | -55 °C to +150 °C | — |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| وضعیت RoHS | Compliant | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| نوع ترانزیستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 54 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 422 A |
| RDS(on) Max | — | 0.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 2 V |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 150 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Series | — | OptiMOS 7 |