IQE013N04LM6ATMA1 vs ISZ033N03LF2SATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE013N04LM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISZ033N03LF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQE013N04LM6ATMA1 ISZ033N03LF2SATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS N-channel trench MOSFET OptiMOS 5
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (Ta) 31 A —
Continuous Drain Current (Tc) 205 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 107 W —
On-Resistance RDS(on) max [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) typ 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typ) 2.35 V max @ 30 uA
Paket PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down PG-TSDSON-8 FL (8-pin)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Source-Down Topology Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) —
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 20 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 109 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 71 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin