IQE065N10NM5CGSCATMA1 vs IQE220N15NM5CGATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE065N10NM5CGSCATMA1 tarafından Infineon ve IQE220N15NM5CGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IQE220N15NM5CGATMA1 - 150V 44A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IQE065N10NM5CGSCATMA1 | IQE220N15NM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C | 85 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 13 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 6.5 mOhm | — |
| Power Dissipation at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC | 100 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Paket | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) | PG-TTFN-9-3 (Source-Down) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench-gate | Trench MOSFET, OptiMOS 5 |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +150 C | -55C to +175C (estimated from Tj max) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Product Series | — | OptiMOS 5 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 44 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | [DATA_NEEDED: ID at Ta] |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 22 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 100 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Pin Sayısı | — | 9 (TTFN) |