IQE065N10NM5CGSCATMA1 vs IQE220N15NM5CGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQE065N10NM5CGSCATMA1 بواسطة Infineon و IQE220N15NM5CGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IQE065N10NM5CGSCATMA1 | IQE220N15NM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C | 85 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 13 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 6.5 mOhm | — |
| Power Dissipation at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC | 100 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| العلبة | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) | PG-TTFN-9-3 (Source-Down) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 trench-gate | Trench MOSFET, OptiMOS 5 |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 C to +150 C | -55C to +175C (estimated from Tj max) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Product Series | — | OptiMOS 5 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 44 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | [DATA_NEEDED: ID at Ta] |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 22 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 100 W |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| مستوى MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| عدد الأطراف | — | 9 (TTFN) |