IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQD020N10NM5CGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 tarafından Infineon ve IQD020N10NM5CGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 IQD020N10NM5CGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 54 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 422 A —
RDS(on) Max 0.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 2 V —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 150 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Paket PG-WHTFN-9-1 (surface mount) PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 7 —
Technology Silicon N-Channel Power MOSFET OptiMOS™ 5 N-channel trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 26 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C from datasheet curve]
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C — 273 A
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 2.0 mΩ (at VGS=10V)
Power Dissipation (TA) — 3 W
Power Dissipation (TC) — 333 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55°C to +175°C
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet]
RoHS Durumu — Compliant
Qualification — Industrial grade (Infineon OptiMOS™ 5 family)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin