IQEH54NE2LM7UCGATMA1 vs IAUCN04S7N015GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQEH54NE2LM7UCGATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7N015GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQEH54NE2LM7UCGATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor OptiMOS 7
Channel Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 52 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 406 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 150 W —
Paket PG-TTFN-9-3 PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount (IMS-compatible source-down)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (typical MOSFET range) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 165 A (Tc)
Power Dissipation (P_D) — 96 W (Tc)
R_DS(on) max — 1.53 mΩ at V_GS=10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: total gate charge]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin