IQEH54NE2LM7UCGATMA1 vs IAUCN04S7N015GATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQEH54NE2LM7UCGATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7N015GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQEH54NE2LM7UCGATMA1 | IAUCN04S7N015GATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | OptiMOS 7 |
| Channel Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 52 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 406 A | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 150 W | — |
| پیکیج | PG-TTFN-9-3 | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount (IMS-compatible source-down) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS | [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (typical MOSFET range) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 165 A (Tc) |
| Power Dissipation (P_D) | — | 96 W (Tc) |
| R_DS(on) max | — | 1.53 mΩ at V_GS=10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +175C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |