IQEH54NE2LM7UCGATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQEH54NE2LM7UCGATMA1 tarafından Infineon ve IQE050N08NM5CGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQEH54NE2LM7UCGATMA1 IQE050N08NM5CGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 52 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 406 A —
Power Dissipation at Ta 2.5 W —
Power Dissipation at Tc 150 W —
Paket PG-TTFN-9-3 PG-TTFN-9-1 (Surface Mount)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (typical MOSFET range) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Ta) — 16 A
Continuous Drain Current (Tc) — 101 A
On-Resistance RDS(on) Max — 5.0 mΩ
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 100 W
Technology — OptiMOS 5 (Source-Down)
Gate Threshold Vgs(th) Typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
İşletim Sıcaklığı — -55°C to +175°C (TJ max)
Total Gate Charge Qg Typ — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin