IQEH68NE2LM7UCGATMA1 vs IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQEH68NE2LM7UCGATMA1 tarafından Infineon ve IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ AktifInfineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 - 25V 422A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IQEH68NE2LM7UCGATMA1 | IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | 47 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc | 338 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc | 130 W | — |
| Gate Threshold Voltage Type | Logic-level (per OptiMOS 7 family) | — |
| On-Resistance Family | RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | +175 degrees C |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) | -55 degrees C to +175 degrees C |
| Paket | PG-TTFN-9-3 (surface mount) | PG-TTFN-9-3 |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| RoHS Durumu | Compliant (per distributor listing) | Compliant |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | OptiMOS 7 (Trench-Gate) |
| Packaging | Tape & Reel (per ATMA1 suffix) | — |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vds) Max | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 54 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 422 A |
| Maximum On-Resistance (Rds(on)) | — | 0.5 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 1.7 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 150 W |
| Qualification | — | Industrial grade per Infineon datasheet |