IQEH68NE2LM7UCGATMA1 vs IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IQEH68NE2LM7UCGATMA1 توسط Infineon و IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon

IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IQEH68NE2LM7UCGATMA1 IQEH50NE2LM7ZCGATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 25 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Ta 47 A —
Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc 338 A —
Power Dissipation (PD) @ Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) @ Tc 130 W —
Gate Threshold Voltage Type Logic-level (per OptiMOS 7 family) —
On-Resistance Family RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) —
Maximum Junction Temperature 175 °C +175 degrees C
محدوده دمای کاری -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) -55 degrees C to +175 degrees C
بسته‌بندی PG-TTFN-9-3 (surface mount) PG-TTFN-9-3
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
وضعیت RoHS Compliant (per distributor listing) Compliant
Technology OptiMOS 7 trench MOSFET OptiMOS 7 (Trench-Gate)
Packaging Tape & Reel (per ATMA1 suffix) —
Product Family — OptiMOS 7 Power-Transistor
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) Max — 25 V
Continuous Drain Current (Ta) — 54 A
Continuous Drain Current (Tc) — 422 A
Maximum On-Resistance (Rds(on)) — 0.5 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.7 V
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 150 W
Qualification — Industrial grade per Infineon datasheet

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت