IQFH55N04NM6ATMA1 vs ISC045N03L5SATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQFH55N04NM6ATMA1 tarafından Infineon ve ISC045N03L5SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQFH55N04NM6ATMA1 ISC045N03L5SATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 —
Transistor Türü N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) @ TA=25°C 53 A —
Pulsed Drain Current @ TC=25°C 451 A —
Static R_DS(on) (typ) 0.55 mΩ —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 214 W —
Paket PG-TSON-12-1 (PQFN 8x6 mm², clip-based) SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +175°C —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 6 generation) OptiMOS 5 / Trench
RoHS Durumu Compliant Compliant
AEC-Q100 [DATA_NEEDED: automotive qualification status] —
Part Number — ISC045N03L5SATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 63 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.5 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V @ ID=250 µA
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Total Gate Charge (Qg) — 13 nC @ VGS=10 V
Input Capacitance (Ciss) — 870 pF @ VDS=15 V
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 30 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +150 °C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin