IQFH55N04NM6ATMA1 vs ISC045N03L5SATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQFH55N04NM6ATMA1 بذریعہ Infineon اور ISC045N03L5SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQFH55N04NM6ATMA1 | ISC045N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) @ TA=25°C | 53 A | — |
| Pulsed Drain Current @ TC=25°C | 451 A | — |
| Static R_DS(on) (typ) | 0.55 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 214 W | — |
| پیکیج | PG-TSON-12-1 (PQFN 8x6 mm², clip-based) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55°C to +175°C | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 6 generation) | OptiMOS 5 / Trench |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| AEC-Q100 | [DATA_NEEDED: automotive qualification status] | — |
| Part Number | — | ISC045N03L5SATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 63 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V @ ID=250 µA |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 13 nC @ VGS=10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 870 pF @ VDS=15 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 30 W |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 °C to +150 °C |