IQFH55N04NM6ATMA1 vs ISC045N03L5SATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IQFH55N04NM6ATMA1 bằng Infineon và ISC045N03L5SATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IQFH55N04NM6ATMA1 - 40V 451A 0.55mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon
IQFH55N04NM6ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
ISC045N03L5SATMA1 - 30V 4.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon
ISC045N03L5SATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IQFH55N04NM6ATMA1 | ISC045N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 | — |
| Kiểu transitor | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) @ TA=25°C | 53 A | — |
| Pulsed Drain Current @ TC=25°C | 451 A | — |
| Static R_DS(on) (typ) | 0.55 mΩ | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 214 W | — |
| Hộp | PG-TSON-12-1 (PQFN 8x6 mm², clip-based) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: total gate charge] | — |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | -55°C to +175°C | — |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 6 generation) | OptiMOS 5 / Trench |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| AEC-Q100 | [DATA_NEEDED: automotive qualification status] | — |
| Part Number | — | ISC045N03L5SATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 63 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V @ ID=250 µA |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 13 nC @ VGS=10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 870 pF @ VDS=15 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 30 W |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +150 °C |