IRF1310NPBF vs IRF1310NSTRLPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF1310NPBF tarafından Infineon ve IRF1310NSTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF1310NPBF | IRF1310NSTRLPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 42 A | 42 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM value] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 36 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 73.3 nC | 73.3 nC |
| Gate-Source Charge (Qgs) | [DATA_NEEDED: Qgs value] | — |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd value] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 160 W | 160 W |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| Paket | TO-220AB (through-hole) | D2PAK (TO-263AB) |
| Montaj Türü | Through Hole | Surface Mount |
| Technology | HEXFET | IR MOSFET (HEXFET) |
| RoHS Durumu | Compliant (PBF suffix) | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 36 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3.8 W |
| Built-in Diode | — | Yes (intrinsic body diode) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (PBF suffix) |
| Configuration | — | Single with built-in diode |