IRF7205TRPBF vs IRF7319TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7205TRPBF tarafından Infineon ve IRF7319TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF7205TRPBF IRF7319TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type P-Channel MOSFET —
Technology IR HEXFET (4th generation) IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) -30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C -4.6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 70 mΩ —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-4.5V 130 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.0 V to -3.0 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Güç Tüketimi (TC=25°C) 2.5 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 °C to +150 °C —
Paket SO-8 (8-SO) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Lead-Free (PBF suffix), RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tape & Reel (TR suffix)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Product Type — Dual MOSFET Array (N-channel + P-channel)
Continuous Drain Current N-channel (ID) — 6.5 A
Continuous Drain Current P-channel (ID) — 4.9 A
RDS(on) Max N-channel — 29 mOhm (per Infineon product page)
RDS(on) Max P-channel — [DATA_NEEDED: P-channel RDS(on) max]
Total Power Dissipation (PD) — 2 W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient N-ch — 120 C/W (steady state)
Thermal Resistance Junction-to-Ambient P-ch — 110 C/W (steady state)
Package Type — 8-SOIC (SO-8)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (junction)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = Pb-free)
Configuration — N-Channel + P-Channel (complementary half-bridge)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin