IRFB4020PBF vs IRLB4132PBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFB4020PBF tarafından Infineon ve IRLB4132PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFB4020PBF IRLB4132PBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 18 A —
Power Dissipation (PD) at TC 100 W —
RDS(on) Maximum 100 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum 20 V —
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) 1.43 C/W —
İşletim Jant Sıcaklığı 175 C (max) —
Paket TO-220AB (through-hole) —
Montaj Türü Through Hole Through Hole
Pin Sayısı 3 (Gate, Drain, Source) —
Lead-Free (PbF suffix) Yes —
Market Qualification Consumer —
Recommended Use Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Transistor Türü — N-Channel MOSFET (HEXFET)
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 78 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 140 W
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) — 3.5 mOhm (typical)
On-Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typical) — 1.0 V to 2.5 V
Gate Charge (Qg, typical) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Maximum Junction Temperature — 175 C
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +175 C
Paket / Kas — TO-220AB (through-hole, 3 leads)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free PBF suffix)
AEC-Q101 Automotive Qualification — Not qualified (industrial/commercial)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin