IRFB4020PBF vs IRLB4132PBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFB4020PBF بذریعہ Infineon اور IRLB4132PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRFB4020PBF | IRLB4132PBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 18 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 100 W | — |
| RDS(on) Maximum | 100 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Maximum | 20 V | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 1.43 C/W | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | 175 C (max) | — |
| پیکیج | TO-220AB (through-hole) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| پن کی تعداد | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Lead-Free (PbF suffix) | Yes | — |
| Market Qualification | Consumer | — |
| Recommended Use | Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel MOSFET (HEXFET) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 78 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 140 W |
| On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) | — | 3.5 mOhm (typical) |
| On-Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typical) | — | 1.0 V to 2.5 V |
| Gate Charge (Qg, typical) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | -55 C to +175 C |
| پیکیج / کیس | — | TO-220AB (through-hole, 3 leads) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Pb-free PBF suffix) |
| AEC-Q101 Automotive Qualification | — | Not qualified (industrial/commercial) |