IRFH5020TRPBF vs BSC014N04LSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFH5020TRPBF tarafından Infineon ve BSC014N04LSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFH5020TRPBF BSC014N04LSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies
Product Family HEXFET Power MOSFET —
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide —
Configuration Single with built-in diode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 5.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 63 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 55 mΩ —
Gate Charge (Qg) typ 11 nC —
Power Dissipation (TA=25°C) 3.6 W —
Güç Tüketimi (TC=25°C) 8.3 W —
Thermal Resistance, Junction-to-PCB (RthJB) 0.8 °C/W —
Package Type 8-PQFN (5x6 mm) SuperSO8 —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Profile Height ≤ 0.9 mm —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C (TJ max) -55C to +175C
Qualification Standard JEDEC (Normal level) —
Gate Drive Optimization 10 V VGS —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free suffix PBF) —
MSL Seviyesi 1 (per industry standard for PQFN-8) 1 (unlimited)
Series — OptiMOS 5
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 96 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Paket — SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm
Technology — Trench (OptiMOS 5, thin-wafer)
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin