IRFH5020TRPBF vs IRF7416TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFH5020TRPBF tarafından Infineon ve IRF7416TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFH5020TRPBF IRF7416TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Family HEXFET Power MOSFET —
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide P-Channel
Configuration Single with built-in diode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 5.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 63 A -50 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
RDS(on) max at VGS=10V 55 mΩ —
Gate Charge (Qg) typ 11 nC —
Power Dissipation (TA=25°C) 3.6 W —
Güç Tüketimi (TC=25°C) 8.3 W —
Thermal Resistance, Junction-to-PCB (RthJB) 0.8 °C/W —
Package Type 8-PQFN (5x6 mm) SuperSO8 —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Profile Height ≤ 0.9 mm —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C (TJ max) —
Qualification Standard JEDEC (Normal level) —
Gate Drive Optimization 10 V VGS —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free suffix PBF) —
MSL Seviyesi 1 (per industry standard for PQFN-8) 1 (unlimited)
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -10 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 20 mOhm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -1 V to -3 V
Total Gate Charge (Qg) — 61 nC
Power Dissipation (PD) max at TA=25C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) — 50 C/W
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C
Paket — 8-SO (SOIC-8)
RoHS Durumu — Compliant
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin