IRFH5020TRPBF vs IRF7416TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFH5020TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF7416TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF - P-Ch 30V 10A HEXFET MOSFET | Infineon

IRF7416TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFH5020TRPBF IRF7416TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Product Family HEXFET Power MOSFET —
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide P-Channel
Configuration Single with built-in diode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V -30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 5.1 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 63 A -50 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
RDS(on) max at VGS=10V 55 mΩ —
Gate Charge (Qg) typ 11 nC —
Power Dissipation (TA=25°C) 3.6 W —
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) 8.3 W —
Thermal Resistance, Junction-to-PCB (RthJB) 0.8 °C/W —
Package Type 8-PQFN (5x6 mm) SuperSO8 —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Profile Height ≤ 0.9 mm —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C (TJ max) —
Qualification Standard JEDEC (Normal level) —
Gate Drive Optimization 10 V VGS —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free suffix PBF) —
MSL لیول 1 (per industry standard for PQFN-8) 1 (unlimited)
Technology — HEXFET (IR MOSFET)
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -10 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 20 mOhm at VGS = -10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -1 V to -3 V
Total Gate Charge (Qg) — 61 nC
Power Dissipation (PD) max at TA=25C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (RthJA) — 50 C/W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت رینج — -55 C to +150 C
پیکیج — 8-SO (SOIC-8)
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں