IRFR2405TRLPBF vs IRFZ48NSTRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR2405TRLPBF tarafından Infineon ve IRFZ48NSTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR2405TRLPBF IRFZ48NSTRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A (typical, per datasheet family) [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 16 mOhm —
Gate Charge (Qg) typical 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 110 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C (junction) —
Paket TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) D2PAK (TO-263) Surface Mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Lead-Free / RoHS Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (13-inch reel, TRL)
FET Type — N-Channel Power MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 64 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) — 14 mΩ at VGS = 10 V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 54 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 130 W
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 — 3.8 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
Lead Finish — Lead-free (PBF) matte tin
RoHS Durumu — Compliant
Technology Family — HEXFET advanced process technology

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin