IRFR2405TRLPBF vs IRFZ48NSTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR2405TRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFZ48NSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR2405TRLPBF IRFZ48NSTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) —
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 200 A (typical, per datasheet family) [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 16 mOhm —
Gate Charge (Qg) typical 70 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc 110 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C (junction) —
پیکیج TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) D2PAK (TO-263) Surface Mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Energy Rated Yes (HEXFET ruggedized design) —
Lead-Free / RoHS Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant —
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (13-inch reel, TRL)
FET Type — N-Channel Power MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 64 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) — 14 mΩ at VGS = 10 V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 54 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 130 W
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 — 3.8 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Lead Finish — Lead-free (PBF) matte tin
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Technology Family — HEXFET advanced process technology

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں