IRFR5305TRPBF vs BSC060P03NS3EGATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR5305TRPBF tarafından Infineon ve BSC060P03NS3EGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSC060P03NS3EGATMA1 - 30V P-Ch MOSFET 6mΩ 100A OptiMOS | Infineon
BSC060P03NS3EGATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IRFR5305TRPBF | BSC060P03NS3EGATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | 65 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | -2 V to -4 V | — |
| Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 110 W | — |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | 270 mJ | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | -55°C to +150°C |
| Paket | TO-252AA (DPAK) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | OptiMOS™ P-channel Trench |
| MSL Seviyesi | 1 | — |
| RoHS Durumu | Compliant (Pb-free PBF suffix) | Compliant |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -30 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 17.7 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 6 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | -2.5 V |
| Total Gate Charge Qg @ VGS=10V | — | 81 nC |
| Input Capacitance Ciss | — | 6.02 nF |
| Output Capacitance Coss | — | 2.81 nF |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | — | 220 pF |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 83 W |