IRFR5410TRPBF vs IRFR5305TRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR5410TRPBF tarafından Infineon ve IRFR5305TRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR5410TRPBF IRFR5305TRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C -13 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V 205 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Total Gate Charge (Qg) typ 70 nC —
Paket TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C 66 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C (TJ) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (advanced process, Gen 5) HEXFET fifth-generation planar MOSFET
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RDS(on) Test Conditions VGS = -10 V, ID = -7.0 A —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -31 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max at VGS=-10V — 65 mΩ
RDS(on) max at VGS=-5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, suffix "PBF")
Tape & Reel Orientation — Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin