IRFR5410TRPBF vs IRFR5410TRRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR5410TRPBF tarafından Infineon ve IRFR5410TRRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR5410TRPBF IRFR5410TRRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C -13 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V 205 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 70 nC —
Paket TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C 66 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C (TJ) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (advanced process, Gen 5) HEXFET (5th Generation)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RDS(on) Test Conditions VGS = -10 V, ID = -7.0 A —
FET Type — MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
VDS (Drain-Source Voltage) — -100 V
VGS (Gate-Source Voltage) — ±20 V
VGS(th) (Gate Threshold) — -2 V to -4 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at 100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max at VGS=-10V — 205 mΩ
RDS(on) typical at VGS=-10V — 26 mΩ (per Mouser listing for IRFR5410TRPBF)
Total Gate Charge (Qg) — 70 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 66 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin