IRFR5410TRPBF vs IRFR5410TRRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFR5410TRPBF bằng Infineon và IRFR5410TRRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFR5410TRRPBF IRFR5410TRRPBF - P-CH 100V 13A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5410TRRPBF - P-CH 100V 13A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5410TRRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFR5410TRPBF IRFR5410TRRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C -13 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V 205 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Total Gate Charge (Qg) typ 70 nC —
Hộp TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C 66 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 °C to +150 °C (TJ) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (advanced process, Gen 5) HEXFET (5th Generation)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RDS(on) Test Conditions VGS = -10 V, ID = -7.0 A —
FET Type — MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
VDS (Drain-Source Voltage) — -100 V
VGS (Gate-Source Voltage) — ±20 V
VGS(th) (Gate Threshold) — -2 V to -4 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C — [DATA_NEEDED: ID at 100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max at VGS=-10V — 205 mΩ
RDS(on) typical at VGS=-10V — 26 mΩ (per Mouser listing for IRFR5410TRPBF)
Total Gate Charge (Qg) — 70 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 66 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55C to +150C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá