IRFR6215TRLPBF vs IRFR3710ZTRLPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR6215TRLPBF tarafından Infineon ve IRFR3710ZTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR6215TRLPBF IRFR3710ZTRLPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -13 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=-10V 580 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) typ 44 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Maximum Operating Junction Temperature 175 C —
Paket TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) MOSFET (Metal Oxide), HEXFET
MSL Seviyesi 1 —
RoHS Durumu Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) — 42 A
Max Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=10V — 18 mOhm
Gate-Source Voltage (Vgs) max — [DATA_NEEDED: Vgs max rating]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Total Gate Charge (Qg) — 69 nC
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 140 W
Avalanche Energy Rating (EAS) — 150 mJ
Maximum Junction Temperature — 175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per Lisleapex listing)
Configuration — Single with built-in diode
İşletim Sıcaklığı — -55 C to +175 C (TJ)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin