IRFR6215TRLPBF vs IRFR3710ZTRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFR6215TRLPBF מאת Infineon ו IRFR3710ZTRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IRFR3710ZTRLPBF IRFR3710ZTRLPBF - 100V 42A HEXFET N-MOSFET DPAK | Infineon

IRFR3710ZTRLPBF - 100V 42A HEXFET N-MOSFET DPAK | Infineon

IRFR3710ZTRLPBF ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IRFR6215TRLPBF IRFR3710ZTRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -13 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=-10V 580 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) typ 44 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Maximum Operating Junction Temperature 175 C —
מארז TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), 3-pin (2+tab)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) MOSFET (Metal Oxide), HEXFET
רמת MSL 1 —
סטטוס RoHS Compliant Compliant (Pb-free PBF suffix)
Lead-Free Yes —
FET Type — N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25C (Tc) — 42 A
Max Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=10V — 18 mOhm
Gate-Source Voltage (Vgs) max — [DATA_NEEDED: Vgs max rating]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th) typ) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
Total Gate Charge (Qg) — 69 nC
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 140 W
Avalanche Energy Rating (EAS) — 150 mJ
Maximum Junction Temperature — 175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per Lisleapex listing)
Configuration — Single with built-in diode
טמפרטורת פעולה — -55 C to +175 C (TJ)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר