IRLL024NTRPBF vs IRLL2705TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLL024NTRPBF tarafından Infineon ve IRLL2705TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRLL024NTRPBF | IRLL2705TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Polarity | N-Channel | — |
| FET Type | MOSFET, Metal Oxide | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 3.1 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 4.4 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.065 ohm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 10.4 nC | 32 nC |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic Level (5 V drive capable) | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Ta | 1.0 W | — |
| Maximum Operating Junction Temperature | 175 C | — |
| Paket | SOT-223 (4-pin) | SOT-223 |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Power MOSFET | HEXFET (IR MOSFET fifth generation) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C | — | 3.8 A |
| Peak Drain Current (IDM, pulsed) | — | 5.2 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 40 mOhm |
| Gate Drive Level | — | Logic-Level |
| Power Dissipation at TA=25 deg C | — | 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing) |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 deg C to +175 deg C |
| Dynamic dv/dt Rating | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |