IRLL024NTRPBF vs IRLL2705TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRLL024NTRPBF bằng Infineon và IRLL2705TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRLL024NTRPBF | IRLL2705TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Polarity | N-Channel | — |
| FET Type | MOSFET, Metal Oxide | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Operating Mode | Enhancement Mode | — |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 3.1 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 4.4 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.065 ohm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 10.4 nC | 32 nC |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic Level (5 V drive capable) | — |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Ta | 1.0 W | — |
| Maximum Operating Junction Temperature | 175 C | — |
| Hộp | SOT-223 (4-pin) | SOT-223 |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Power MOSFET | HEXFET (IR MOSFET fifth generation) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at 25 deg C | — | 3.8 A |
| Peak Drain Current (IDM, pulsed) | — | 5.2 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 40 mOhm |
| Gate Drive Level | — | Logic-Level |
| Power Dissipation at TA=25 deg C | — | 1 W (Ta), 2.1 W (per LCSC listing) |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 deg C to +175 deg C |
| Dynamic dv/dt Rating | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |