IRLML5103TRPBF vs IRLML6346TRPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML5103TRPBF tarafından Infineon ve IRLML6346TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRLML5103TRPBF | IRLML6346TRPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | P-Channel MOSFET | — |
| Maximum Drain-Source Voltage | 30 V | — |
| Continuous Drain Current | 760 mA at Ta | — |
| Power Dissipation | 540 mW at Ta | — |
| Maximum On-Resistance | 600 mOhm | — |
| Gate Charge | 3.4 nC | — |
| Technology | IR MOSFET | HEXFET Power MOSFET |
| Paket | Micro3/SOT-23 | Micro3 / SOT-23 |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | P-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage Rating | -30 V | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| İşletim Sıcaklığı | 175 C | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Footprint | SOT-23 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 3.4 A (TA=25C) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | — | 63 mOhm |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Gate Drive Capability | — | 2.5V logic-level |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) |
| İşletim Jant Sıcaklığı | — | -55C to +150C |
| MSL Seviyesi | — | 1 |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |