IRLML5103TRPBF vs IRLML6346TRPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLML5103TRPBF بذریعہ Infineon اور IRLML6346TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IRLML5103TRPBF | IRLML6346TRPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | P-Channel MOSFET | — |
| Maximum Drain-Source Voltage | 30 V | — |
| Continuous Drain Current | 760 mA at Ta | — |
| Power Dissipation | 540 mW at Ta | — |
| Maximum On-Resistance | 600 mOhm | — |
| Gate Charge | 3.4 nC | — |
| Technology | IR MOSFET | HEXFET Power MOSFET |
| پیکیج | Micro3/SOT-23 | Micro3 / SOT-23 |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Polarity | P-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage Rating | -30 V | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 175 C | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Footprint | SOT-23 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 3.4 A (TA=25C) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | — | 63 mOhm |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Gate Drive Capability | — | 2.5V logic-level |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +150C |
| MSL لیول | — | 1 |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |