IRLML6346TRPBF vs BSS316NH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML6346TRPBF tarafından Infineon ve BSS316NH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLML6346TRPBF BSS316NH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) 3.4 A (TA=25C) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=2.5V 63 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Drive Capability 2.5V logic-level —
Maximum Power Dissipation (PD) 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Paket Micro3 / SOT-23 PG-SOT23 (SOT-23-3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET OptiMOS 2 (Trench)
MSL Seviyesi 1 MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 1.4 A
Drain-Source On-Resistance RDS(on) max — 160 mOhm at VGS=10V, ID=1.4A
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) typ — 2 V at ID=3.7 uA
Total Gate Charge (Qg) — 600 pC at VGS=5 V
Input Capacitance (Ciss) — 94 pF at VDS=15 V
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: output capacitance]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: reverse transfer capacitance]
Maximum Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı — -55 C to +150 C
Lead Plating — Pb-free (Matte Tin)
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin